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当前分类数量:225  点击返回 当前位置:首页 > 中图法 【TN3 半导体技术】 分类索引
  • 等离子体刻蚀工艺及设备
    • 等离子体刻蚀工艺及设备
    • 赵晋荣/2023-2-1/ 电子工业出版社/定价:¥98
    • 本书以集成电路领域中的等离子体刻蚀为切入点,介绍了等离子体基础知识、基于等离子体的刻蚀技术、等离子体刻蚀设备及其在集成电路中的应用。全书共8章,内容包括集成电路简介、等离子体基本原理、集成电路制造中的等离子体刻蚀工艺、集成电路封装中的等离子体刻蚀工艺、等离子体刻蚀机、等离子体测试和表征、等离子体仿真、颗粒控制和量产。本

    • ISBN:9787121450181
  • 智能制造SMT设备操作与维护
    • 智能制造SMT设备操作与维护
    • 余佳阳、汤鹏 主编/2023-1-1/ 化学工业出版社/定价:¥98
    • 本书采用通俗易懂的语言、图文并茂的形式,详细讲解了智能制造SMT设备操作与维护的相关知识,覆盖了SMT生产线常用的设备,主要包括上板机、印刷机、SPI设备、双轨平移机、贴片机、AOI设备、缓存机、回流焊、X-ray激光检测仪、AGV机器人、传感器、烤箱、电桥等,还对SMT生产线的运行管理做了介绍。本书内容丰富实用,讲解

    • ISBN:9787122419453
  • 电子技术基础实验
    • 电子技术基础实验
    • 赵红言/2022-11-9/ 西安交通大学出版社/定价:¥24
    • 全书由模拟电路实验、数字电路实验、综合实验、电子产品组装与调试及常用仪表使用共五章内容组成。在实验内容安排上,力求将分析、设计及验证融为一体,强化故障排除能力训练;实验项目全程贯穿识图、元器件识别检测、测试结果分析等环节训练,以突出教学对象技能培养的要求。为了达到教学效果,实验项目以大学时(4学时)教学进行设计。

    • ISBN:9787569327021
  • SMT基础与设备(第3版)
    • SMT基础与设备(第3版)
    • 何丽梅/2022-11-1/ 电子工业出版社/定价:¥39.8
    • 本书系统阐述了表面组装元器件、表面组装材料、表面组装工艺、表面组装设备原理及应用等SMT基础内容。针对SMT产品制造业的技术发展及岗位需求,详细介绍了表面组装技术的SMB设计与制造、焊锡膏印刷、点胶、贴片、波峰与再流焊接、检验、清洗等基本技能。为解决学校实训条件不足和增加学生感性认识的需要,书中配置了较大数量的实物图片

    • ISBN:9787121444517
  • 薄膜晶体管原理与技术
    • 薄膜晶体管原理与技术
    • 陈文彬/2022-10-1/ 科学出版社/定价:¥88
    • 薄膜晶体管(TFT)是一种金属-绝缘层-半导体场效应管,迄今已经历了60年的发展,在原理与技术方面的创新层出不穷。《薄膜晶体管原理与技术》首先概述TFT的物理基础及典型薄膜工艺原理;接着以氢化非晶硅、低温多晶硅、金属氧化物和有机TFT为主,系统介绍TFT相关的材料、器件及制备技术;再以有源驱动液晶显示和有机发光显示两种

    • ISBN:9787030733320
  • 半导体简史
    • 半导体简史
    • 王齐 范淑琴 编著/2022-10-1/ 机械工业出版社/定价:¥108
    • 本书沿半导体全产业链的发展历程,分基础、应用与制造三条主线展开。其中,基础线主要覆盖与半导体材料相关的量子力学、凝聚态物理与光学的一些常识。应用线从晶体管与集成电路的起源开始,逐步过渡到半导体存储与通信领域。制造线以集成电路为主展开,并介绍了相应的半导体材料与设备。三条主线涉及了大量与半导体产业相关的历史。笔者希望能够

    • ISBN:9787111713395
  • 金刚石半导体器件前沿技术
    • 金刚石半导体器件前沿技术
    • 张金风/2022-9-1/ 西安电子科技大学出版社/定价:¥108
    • 本书以作者近年来的研究成果为基础,结合国际研究进展,系统地介绍了金刚石超宽禁带半导体器件的物理特性和实现方法,重点介绍了氢终端金刚石场效应管器件。全书共8章,内容包括绪论、金刚石的表面终端、氢终端金刚石场效应管的原理和优化、金刚石微波功率器件、基于各种介质的氢终端金刚石MOSFET、金刚石高压二极管、石墨烯/金刚石复合

    • ISBN:9787560664866
  • 氧化镓半导体器件
    • 氧化镓半导体器件
    • 龙世兵/2022-9-1/ 西安电子科技大学出版社/定价:¥128
    • 本书主要介绍近几年发展较快的氧化镓半导体器件。氧化镓作为新型的超宽禁带半导体材料,在高耐压功率电子器件、紫外光电探测器件等方面都具有重要的应用前景。本书共分为7章,第1~4章(氧化镓材料部分)介绍了氧化镓半导体材料的基本结构,单晶生长和薄膜外延方法,电学特性,氧化镓材料与金属、其他半导体的接触,氧化镓材料的刻蚀、离子注

    • ISBN:9787560664309
  • 氮化物半导体太赫兹器件
    • 氮化物半导体太赫兹器件
    • 冯志红/2022-9-1/ 西安电子科技大学出版社/定价:¥128
    • 随着太赫兹技术的发展,传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升,导致现有的太赫兹源输出功率低,不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点,在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展,包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、

    • ISBN:9787560663128
  • 宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能
    • 宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能
    • 陶绪堂/2022-9-1/ 西安电子科技大学出版社/定价:¥128
    • 氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料,在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍,重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果;系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的

    • ISBN:9787560664446