氮化镓单晶材料生长与应用正在快速发展，本书以作者所在团队多年来的研究工作为基础，并作了大量扩展和补充，呈现了该领域的最新研究成果。具体来说，本书分八章内容详细介绍了氮化镓单晶材料生长的基本原理、技术方法、发展现状及应用趋势。本书系统性强，有较完整的专业知识讲解，实验数据丰富。虽然本书所涉及内容没有涵盖氮化镓单晶材料生长

本书将矿物材料与固废资源高效开发利用紧密结合，阐述了脱硫石膏在酸性低盐溶液中水热制备晶须涉及的理论与技术。内容包括：无机盐添加剂对脱硫石膏溶液组成和晶须制备的影响、晶须制备宏观参数与微观参数之间定量关系、脱硫石膏晶须水热生长动力学、无机盐阴阳离子作用机理、晶须晶体结构转化规律、脱硫石膏晶须绿色制备与应用探索等。

本书介绍了液封提拉法生长晶体技术的特点及研究现状、蓝宝石单晶生长技术的现代趋势和应用进展,重点讨论了基于液封提拉法制备蓝宝石晶体、硅单晶的热毛细对流的线性稳定性分析方法,给出了微重力条件下、常重力条件下,5cSt硅油/HT-70、B2O3/蓝宝石熔体工质对在上部为自由表面的热毛细对流、上部为自由表面的浮力-热毛细对流、

传统的晶体生长理论模型创建时，受时代限制，缺乏原位实时观测晶体生长过程微观结构演化的实验基础，难以真实、完整地反映晶体生长过程中微观结构的演化。本书突破了晶体生长机理研究的传统思维，采用高温激光显微拉曼光谱和同步辐射Ｘ射线衍射等现代观测技术，从微观尺度上，原位实时观测晶体生长过程中微观结构的演化。发现了晶体熔融生长时，

本书用传输理论、热力学、统计物理学和动力学理论系统地总结和解释了晶体生长过程，着重讨论了熔体生长特别是直拉法生长。结合温场、溶质分凝、液流效应等问题做了仔细的分析并给出相应的物理解释。对不同生长系统中的的生长动力学采用统一的观点加以阐述。本书是一本全面论述晶体生长理论的专著，既可作为高等院校学生和研究有关晶体生长课程的

《HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究》结合著者在该领域的研究成果，介绍了获得高质量自支撑GaN单晶的方法。《HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究》的研究工作主要有以下四个方面：第2章介绍了V／Ⅲ对GaN晶体质量和光电性质的影响，并对其作用机理进行了分析。随着V／Ⅲ的增加，GaN单晶中的位错密度降低、残余应

本书主要介绍了晶体生长技术及相关晶体缺陷，结合计算流体力学数值模拟和实验研究，系统的从热流体输运、化学反应等方面阐明了晶体生长技术的要点和优化方法。为了读者更系统的了解晶体缺陷的理论和研究方法，本书也详细介绍了分子动力学和第一性原理的研究策略，并应用于晶体缺陷的研究。本书的研究涵盖了宏观和微观的研究方法和理论，把传统的

本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，分5章对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)

本书是一本关于成核、晶体生长和外延的经典教科书，也是一本对于材料、物理、电子类专业的高年级本科生、研究生以及相关研究人员、教师的非常有价值的参考书。与该领域同类的书籍相比，本书不但是最早专著之一，而且也是影响力最大的一本。本书没有过多涉及晶体生长和外延的相关基本技术手段，而是集中笔墨介绍了关于晶体生长和外延的热力学和原

本书精选了王静康院士自1965年至今的98篇学术论文，重点论述了工业结晶科学与技术的创新研发及其成果产业转化等方面的代表作，特别是具有自主知识产权的熔融结晶技术、反应结晶集成技术、溶液结晶技术的成功研发及大规模产业化推广，使中国在该领域进一步实现了可持续健康发展。