三维存储芯片技术

定　　价：118 元

丛书名：新视野电子电气科技丛书

• 作者：[圣马] 里诺·米歇洛尼（Rino Micheloni）著 吴华强 高滨 钱鹤 译
• 出版时间：2020/2/1
• ISBN：9787302531340
• 出 版 社：清华大学出版社

• 中图法分类：TN43 
• 页码：296
• 版次：1

内容简介

3D是一种全新的技术，不仅是因为它的多层结构，还因为它是一种基于新型NAND的存储单元。在第1章介绍3D FLASH的市场趋势后，本书的2~8章介绍3D FlASH的工作原理、新技术以及应用架构，包括电荷俘获和浮栅技术（包括可靠性和可缩小性这两种性质在两种技术之间的对比，以及大量不同的材料和垂直架构）、3D堆叠NAND、BiCS和P-BICS、3D浮栅技术、3D VG NAND3D先进架构和RRAM交叉点阵列等。第9~12章探讨了3D FLASH的系统级先进技术，包括多级存储和芯片堆叠等封装技术创新；基于低密度奇偶校验码的最新商业解决方案的演化进程；TLC/QLC与若干3D层的组合需要的非对称代数码和非二进制LDPC码等校正技术；以及从系统的角度看3D Flash的含义。