碳化硅功率模块设计

定　　价：119 元

• 作者：(日)阿尔贝托·卡斯特拉齐(AlbertoCastellazzi)等著
• 出版时间：2024/12/1
• ISBN：9787111766544
• 出 版 社：机械工业出版社

• 中图法分类：TN303 
• 页码：248页
• 版次：1
• 开本：24cm

内容简介

本书详细介绍了多芯片SiCMOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案，主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。本书所有章节均旨在提供关于多芯片SiCMOSFET功率模块定制开发相关的系统性指导，兼具理论价值和实际应用价值。